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芯片封裝可靠性試驗專業(yè)術(shù)語

作者: salmon范 編輯: 瑞凱儀器 來源: m.gsll88.com 發(fā)布日期: 2021.07.08

   在芯片(IC)完成整個封裝流程之后,封裝廠會對其產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量和可靠性兩方面的檢測。質(zhì)量檢測主要檢測封裝后芯片(IC)的可用性,封裝后的質(zhì)量和性能情況,而可靠性則是對封裝的可靠性相關(guān)參數(shù)的測試。首先,我們必須理解什么叫做“可靠性”,產(chǎn)品的可靠性即產(chǎn)品可靠度的性能,具體表現(xiàn)在產(chǎn)品使用時是否容易出故障,產(chǎn)品使用壽命是否合理等。如果說“品質(zhì)”是檢測產(chǎn)品“現(xiàn)在”的質(zhì)量的話,那么“可靠性”就是檢測產(chǎn)品“未來”的質(zhì)量。以下瑞凱儀器整理了一些芯片封裝可靠性試驗專業(yè)術(shù)語,便于大家查閱。

試驗名稱 英文簡稱 常用試驗條件 備注
溫度循環(huán) TCT -65℃~150℃ dwell 15min,100cycles 試驗設(shè)備采用氣冷的方式,此溫度設(shè)置為設(shè)備的極限溫度
高壓蒸煮 PCT 121℃、100%RH 2ATM, 96hrs 此試驗也稱為高壓蒸汽,英文也稱為autoclave
熱沖擊 TST -65℃~150℃ dwell 15min,50cycles 此試驗原理與溫度循環(huán)相同,但溫度轉(zhuǎn)換速率更快,所以比溫度循環(huán)更嚴(yán)酷
穩(wěn)態(tài)濕熱 THT 85℃, 85%RH 168hrs,此試驗有時是需要加偏置電壓的,一般為 Vcb=0. 7~0. 8BVcbo,此時試驗為THBT。
易焊性 solderability 235℃,2±0.5s 此試驗為槽焊法,試驗后為10~40倍的顯微鏡下看管腳的上錫面積。
耐焊接熱 SHT 260℃,10±1s 模擬焊接過程對產(chǎn)品的影響。
電耐久 Burn in Vce=0. 7Bvceo Ic=P/Vce, 168hrs 模擬產(chǎn)品的使用。( 條件主要針對三極管)
高溫反偏 HTRB 125℃ Vcb=0. 7~0.8BVcbo,168hrs 主要對產(chǎn)品的PN結(jié)進(jìn)行考核。
回流焊 IR reflow Peak temp. 240℃ (225℃ )只針對SMD產(chǎn)品進(jìn)行考核,且多只能做三次。
高溫貯存 HTST 150℃,168hrs 產(chǎn)品的高溫壽命考核。
超聲波檢測 SAT 檢測產(chǎn)品的內(nèi)部離層、氣泡、裂縫。但產(chǎn)品表面一定要平整。

    IC產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性測試
    一、使用壽命測試項目(Lifetestitems):EFR,OLT(HTOL),LTOL
    1)EFR:早期失效等級測試(EarlyfailRateTest)
    2)HTOL/LTOL:高/低溫操作生命期試驗(High/LowTemperatureOperatingLife)
    二、環(huán)境測試項目(Environmentaltestitems)
    1)PRE-CON:預(yù)處理測試(PreconditionTest)
    2)THB:加速式溫濕度及偏壓測試(TemperatureHumidityBiasTest)
    3)HAST高加速溫濕度及偏壓測試(HAST:HighlyAcceleratedStressTest)
    4)PCT:高壓蒸煮試驗PressureCookTest(AutoclaveTest)
    5)TCT:高低溫循環(huán)試驗(TemperatureCyelingTest)
    6)TST:高低溫沖擊試驗(ThermalShockTest)
    7)HTST:高溫儲存試驗(HighTemperatureStorageLifeTest)
    8)可焊性試驗(SolderabilityTest)
    9)SHTTest:焊接熱量耐久測試(SolderHeatResistivityTest)
    三、耐久性測試項目(Endurancetestitems)
    1)周期耐久性測試(EnduranceCyelingTest)
    2)數(shù)據(jù)保持力測試(DataRetentionTest)

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